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+86-755-82564498
MT41K512M4HX-187E:D
IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
型号：
MT41K512M4HX-187E:D
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
RoHS：
YES
MT41K512M4HX-187E:D规格
零件状态
:
Discontinued at
安装类型
:
Surface Mount
可编程
:
Not Verified
内存类型
:
Volatile
内存接口
:
Parallel
写入周期时间 - 字，页
:
-
内存格式
:
DRAM
内存容量
:
2Gbit
工作温度
:
0°C ~ 95°C (TC)
封装 / 外壳
:
78-TFBGA
供应商器件封装
:
78-FBGA (9x11.5)
时钟频率
:
533 MHz
存储器结构
:
512M x 4
访问时间
:
13.125 ns
技术
:
SDRAM - DDR3L
电压 - 供电
:
1.283V ~ 1.45V
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