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+86-755-82564498
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
型号：
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
RoHS：
YES
：
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E规格
零件状态
:
Obsolete
安装类型
:
Surface Mount
可编程
:
Not Verified
内存接口
:
Parallel
写入周期时间 - 字，页
:
-
工作温度
:
-25°C ~ 85°C (TA)
电压 - 供电
:
1.8V
内存类型
:
Non-Volatile, Volatile
内存格式
:
FLASH, RAM
时钟频率
:
533 MHz
技术
:
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
内存容量
:
4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2)
存储器结构
:
512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)
封装 / 外壳
:
162-VFBGA
供应商器件封装
:
162-VFBGA (11.5x13)
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