IS43DR86400C-3DBLI-TR
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
型号:
IS43DR86400C-3DBLI-TR
制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别:
集成电路(ICs) > 存储器 > 存储器
描述:
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
RoHS:
YES
IS43DR86400C-3DBLI-TR规格
工作温度 :
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型 :
Surface Mount
零件状态 :
Not For New Designs
可编程 :
Not Verified
内存类型 :
Volatile
内存接口 :
Parallel
写入周期时间 - 字,页 :
15ns
电压 - 供电 :
1.7V ~ 1.9V
内存容量 :
512Mbit
存储器结构 :
64M x 8
内存格式 :
DRAM
封装 / 外壳 :
60-TFBGA
技术 :
SDRAM - DDR2
时钟频率 :
333 MHz
访问时间 :
450 ps
供应商器件封装 :
60-TWBGA (8x10.5)